First principle electronic structure calculations of transition metal–doped CdTe–based semiconductors

Radisavljević, Ivana M.; N. Novaković; N. Ivanović

Rezultati

eNauka > Rezultati > First principle electronic structure calculations of transition metal–doped CdTe–based semiconductors

Naziv:	First principle electronic structure calculations of transition metal–doped CdTe–based semiconductors
Autori:	Radisavljević, Ivana M. ; N. Novaković; N. Ivanović
Godina:	2018
Publikacija:	3rd International Symposium on Materials for Energy Storage and Conversion,
Izdavač:	Beograd, Srbija
Tip rezultata:	Konferencijski rad
ISBN:	978–86–7306–140–5 ИСБН није валидан Pretraži identifikator
Kolacija:	str. 105-105
URI:	https://enauka.gov.rs/handle/123456789/292980
URL:	https://www.vin.bg.ac.rs/mesc2018/
Izvor metapodataka:	Migrirano iz RIS podataka
M-kategorija:	Mp kategorija će biti prikazana naknadno.

Pronađi DOI

Pronalaženje DOI u servisu CrossRef-u na osnovu meta-podataka u zapisu. Prikazaće se DOI (i metapodaci) čiji se podaci najviše poklapaju. OPREZ - to ne mora biti ta publikacija.

Google Scholar^TM

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.